第六章 SDRAM控制器的设计

2023-12-17 13:23| 来源: 网络整理| 查看: 265

介绍的重点： ·动态随机存储介绍 ·介绍SDARM的工作原理与Verilog的实现方法 ·基本实验：利用基本实例来解释SDRAM控制器顶层模块的设计 ·高级实验：利用高级实例来完整的描述SDRAM控制器顶层模块的修改技巧与注意事项问题：什么是SDRAM 那？回答：同步动态随机存储器（Synchronous Dynamic Random Access Memory）目前很多芯片及系统开发，如影像采集或显示系统，都要用到保存容量大、读写速度高的存储器，本次介绍的SDRAM具有价格低、体积小、容量大、速度快特点，是理想的选择 SDRAM的框架：SDRAM是将存储器单元（Memory Cell）利用矩阵的方式来排列，矩阵中有列地址（Row Address）及行地址（Column Address），为了读出或写入某数据，SDRAM控制器会先传送列的地址，此时RAS信号被设定为Active状态，在存取行的地址前还需要几个执行周期，这段时间为RAS至CAS的延迟时间，而CAS信号则需经过几个时钟周期后，才开始稳定的书写数据，这段时间就是CAS延迟时间（CL）。

6-1 动态随机存储器的介绍

先了解动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）其中一个存储器单元的结构只需要用到一个电容即可控制MOSFET的通断在这里插入图片描述

而电容的电压会随着时间变化，出现电压下降的问题，保护机制在于读取与写入必须经过放大，另外保存一段时间过后必须将数据读出后再写入一次，这个动作称为DRAM更新，当然会一定的降低效率在这里插入图片描述为了降低封装成本，减少IC引脚数目，DRAM的地址输出线采用多工方式同样方式分两次输入，先输入列地址在输入行地址、最大的存储器单元数目为22n，常见的DRAM芯片容量以4的倍数递增，例如：4M Byte、16M Byte、64M Byte、256M Byte etc 由于DRAM是由MOSFET为主要器件，电路中的杂散电容（Stray Capacitance）对电路的反应时间有很大的影响，更换地址后会进行再次充放电，RAS信号至少要维持一段建立列地址时间（t RAS）,外加预充电时间（tRP），因此一个DRAM的存取周期（tRC）的计算公式： tRC=tRP+tRAS 这样的时间特性使得DRAM在相当长的一段时间内不能作为高速存储器使用，但是万恶的资本家怎么会放过这个赚钱的机会那[狗头]，在商业竞争下，经过阶段改良，同步动态随机存储器（SDRAM）产生，是对DRAM功能的改善由之前的描述可知，DRAM有天生的存放电的缺点，限制了分散数据随机存取的速度，于是SDRAM对于可预测的下一步突发模式（Burst Mode）采用存储器交错处理（Memory Interleaving）以及多管线（Multi-Pipeline）技术，提升分配时间内读写的信息量，改善了突发模式下的存储时间，同步动态随机存储器在连续存取的应用中达到与外部时钟同步的频率，故被称为同步动态随机存储器

SDRAM实现了： 1.可以控制突发模式的存取长度（包括1笔、2笔、4笔、8笔与整页的模式） 2.自动更新（Auto Refresh）及自我更新（Self Refresh）的能力 3.更大的容量、更快的存取速度等等要求 4.可以自动预充电与被控制充电 5.待机时的省电设计

6-2 使用Verilog实现SDRAM控制器与SDRAM接口的控制

1.初始化 2.存取储存器单元 3.更新和预充电 4.控制命令

6-3 SDRAM控制器的基本应用设计

SDRAM控制器应用电路设计技巧：将“SDRAM”比作“自来水厂” “读出数据缓冲器与数据处理器”比作“水塔” 清水在进入住户之前要先进入水塔

6-4SDRAM控制器的进阶应用设计

快速修改SDRAM满足各种工程的需求，如何同时调用两个SDRAM在应用方面进行详细介绍

6-4-1 同时控制两个SDRAM的应用设计

1.复制工程 2.打开工程 3.修改读出数据缓冲器 4.修改写入数据缓冲器 5.修改SDRAM控制器数据宽度修改SDRAM控制器的遮罩和数据宽度 .DQ(DRAM_DQ), .DQM({DRAM_DQM}), 6.编译、烧录与执行电路已进行修改，但执行起来并不是两个SDRAM的感觉，需要应用到第四章的知识“SignalTapll Logic Analyzer”来实时观察SDRAM的情况，选择写入状态为触发情况

6-4-2 修改FPGA端读写数据宽度的应用设计

1.复制工程 2.打开工程 3.修改读出数据缓冲器 4.修改写入数据缓冲器在这里插入图片描述可以在数据表中查看pin引脚情况

5.修改SDRAM控制器数据控制宽度 6.编译、烧录与执行

6-4-3 增加SDRAM读写端口的应用设计

1.复制工程 2.打开工程 3.在SDRAM控制器顶层模块增加读端口的输入/出 4.在SDRAM控制器顶层模块增加读出数据缓冲器 5.在SDRAM控制器顶层模块增加读出地址的控制 6.仲裁器的设计 7.工程顶层的修改 8.编译、烧录与执行贴入代码如下：

module Sdram_Control( // HOST Side REF_CLK, RESET_N, // FIFO Write Side 1 WR1_DATA, WR1, WR1_ADDR, WR1_MAX_ADDR, WR1_LENGTH, WR1_LOAD, WR1_CLK, // FIFO Read Side 1 RD1_DATA, RD1, RD1_ADDR, RD1_MAX_ADDR, RD1_LENGTH, RD1_LOAD, RD1_CLK, // FIFO Read Side 2 RD2_DATA, RD2, RD2_ADDR, RD2_MAX_ADDR, RD2_LENGTH, RD2_LOAD, RD2_CLK, // SDRAM Side SA, BA, CS_N, CKE, RAS_N, CAS_N, WE_N, DQ, DQM, SDR_CLK ); `include "Sdram_Params.h" // HOST Side input REF_CLK; //System Clock input RESET_N; //System Reset // FIFO Write Side 1 input [`DSIZE-1:0] WR1_DATA; //Data input input WR1; //Write Request input [`ASIZE-1:0] WR1_ADDR; //Write start address input [`ASIZE-1:0] WR1_MAX_ADDR; //Write max address input [8:0] WR1_LENGTH; //Write length input WR1_LOAD; //Write register load & fifo clear input WR1_CLK; //Write fifo clock // FIFO Read Side 1 output [`DSIZE-1:0] RD1_DATA; //Data output input RD1; //Read Request input [`ASIZE-1:0] RD1_ADDR; //Read start address input [`ASIZE-1:0] RD1_MAX_ADDR; //Read max address input [8:0] RD1_LENGTH; //Read length input RD1_LOAD; //Read register load & fifo clear input RD1_CLK; //Read fifo clock // FIFO Read Side 2 output [`DSIZE-1:0] RD2_DATA; //Data output input RD2; //Read Request input [`ASIZE-1:0] RD2_ADDR; //Read start address input [`ASIZE-1:0] RD2_MAX_ADDR; //Read max address input [8:0] RD2_LENGTH; //Read length input RD2_LOAD; //Read register load & fifo clear input RD2_CLK; //Read fifo clock // SDRAM Side output [11:0] SA; //SDRAM address output output [1:0] BA; //SDRAM bank address output [1:0] CS_N; //SDRAM Chip Selects output CKE; //SDRAM clock enable output RAS_N; //SDRAM Row address Strobe output CAS_N; //SDRAM Column address Strobe output WE_N; //SDRAM write enable inout [`DIOSIZE-1:0] DQ; //SDRAM data bus output [`DIOSIZE/8-1:0] DQM; //SDRAM data mask lines output SDR_CLK; //SDRAM clock // Internal Registers/Wires // Controller reg [`ASIZE-1:0] mADDR; //Internal address reg [8:0] mLENGTH; //Internal length reg [`ASIZE-1:0] rWR1_ADDR; //Register write address reg [`ASIZE-1:0] rRD1_ADDR; //Register read address reg [`ASIZE-1:0] rRD2_ADDR; //Register read address reg WR_MASK; //Write port active mask reg [1:0] RD_MASK; //Read port active mask reg mWR_DONE; //Flag write done, 1 pulse SDR_CLK reg mRD_DONE; //Flag read done, 1 pulse SDR_CLK reg mWR,Pre_WR; //Internal WR edge capture reg mRD,Pre_RD; //Internal RD edge capture reg [9:0] ST; //Controller status reg [1:0] CMD; //Controller command reg PM_STOP; //Flag page mode stop reg Read; //Flag read active reg Write; //Flag write active reg [`DIOSIZE-1:0] mDATAOUT; //Controller Data output wire [`DIOSIZE-1:0] mDATAIN; //Controller Data input wire [`DIOSIZE-1:0] mDATAIN1; //Controller Data input 1 wire CMDACK; //Controller command acknowledgement // DRAM Control reg [`DIOSIZE/8-1:0] DQM; //SDRAM data mask lines reg [11:0] SA; //SDRAM address output reg [1:0] BA; //SDRAM bank address reg [1:0] CS_N; //SDRAM Chip Selects reg CKE; //SDRAM clock enable reg RAS_N; //SDRAM Row address Strobe reg CAS_N; //SDRAM Column address Strobe reg WE_N; //SDRAM write enable wire [11:0] ISA; //SDRAM address output wire [1:0] IBA; //SDRAM bank address wire [1:0] ICS_N; //SDRAM Chip Selects wire ICKE; //SDRAM clock enable wire IRAS_N; //SDRAM Row address Strobe wire ICAS_N; //SDRAM Column address Strobe wire IWE_N; //SDRAM write enable // FIFO Control reg OUT_VALID; //Output data request to read side fifo reg IN_REQ; //Input data request to write side fifo wire [15:0] write_side_fifo_rusedw1; wire [15:0] read_side_fifo_wusedw1; wire [15:0] read_side_fifo_wusedw2; // DRAM Internal Control wire [`ASIZE-1:0] saddr; wire load_mode; wire nop; wire reada; wire writea; wire refresh; wire precharge; wire oe; wire ref_ack; wire ref_req; wire init_req; wire cm_ack; wire last_pm; Sdram_PLL u_sdram_pll( .inclk0(REF_CLK), .c0(CLK), .c1(SDR_CLK) ); control_interface u_control( .CLK(CLK), .RESET_N(RESET_N), .CMD(CMD), .ADDR(mADDR), .REF_ACK(ref_ack), .CM_ACK(cm_ack), .NOP(nop), .READA(reada), .WRITEA(writea), .REFRESH(refresh), .PRECHARGE(precharge), .LOAD_MODE(load_mode), .SADDR(saddr), .REF_REQ(ref_req), .INIT_REQ(init_req), .CMD_ACK(CMDACK) ); command u_command( .CLK(CLK), .RESET_N(RESET_N), .SADDR(saddr), .NOP(nop), .READA(reada), .WRITEA(writea), .REFRESH(refresh), .LOAD_MODE(load_mode), .PRECHARGE(precharge), .REF_REQ(ref_req), .INIT_REQ(init_req), .REF_ACK(ref_ack), .CM_ACK(cm_ack), .OE(oe), .PM_STOP(PM_STOP), .SA(ISA), .BA(IBA), .CS_N(ICS_N), .CKE(ICKE), .RAS_N(IRAS_N), .CAS_N(ICAS_N), .WE_N(IWE_N) ); Sdram_WR_FIFO u_write_fifo( .data(WR1_DATA), .wrreq(WR1), .wrclk(WR1_CLK), .aclr(WR1_LOAD), .rdreq(IN_REQ&WR_MASK), .rdclk(CLK), .q(mDATAIN1), .rdusedw(write_side_fifo_rusedw1) ); Sdram_RD_FIFO u_read_fifo1( .data(mDATAOUT), .wrreq(OUT_VALID&RD_MASK[0]), .wrclk(CLK), .aclr(RD1_LOAD), .rdreq(RD1), .rdclk(RD1_CLK), .q(RD1_DATA), .wrusedw(read_side_fifo_wusedw1) ); Sdram_RD_FIFO u_read_fifo2( .data(mDATAOUT), .wrreq(OUT_VALID&RD_MASK[1]), .wrclk(CLK), .aclr(RD2_LOAD), .rdreq(RD2), .rdclk(RD2_CLK), .q(RD2_DATA), .wrusedw(read_side_fifo_wusedw2) ); assign mDATAIN = (WR_MASK) ? mDATAIN1 : `DSIZE'hzzzz; assign DQ = oe ? mDATAIN : `DSIZE'hzzzz; assign last_pm = (ST==SC_CL+mLENGTH); always @(posedge CLK) begin SA

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